西数畅想基于OptiNAND闪存机械硬盘性能改进方案

与此同时，西数承诺提供 16TB 的 MAMR 机械硬盘驱动器，然后提供了能量增强型 ePMR 产品线。另一方面，东芝也推出了基于磁通控制（FC-MAMR）的 MG09 系列企业级 16TB / 18TB HDD 产品线。
在周二举办的 HDD Reimagine 活动期间，西数隆重介绍了新颖的 OptiNAND 架构，特点是在 PCB 上集成了嵌入式的 UFS 闪存（EFD）。
该公司还宣布，其已为特定客户提供了基于支持 OptiNAND + ePMR 方案的首批非叠瓦（SMR）驱动器样品，并致力于为所有 20TB+ 硬盘驱动器引入 OptiNAND，且有望在本世纪下半叶实现 50TB 存储容量。
尽管没有披露确切的 OptiNAND 闪存容量，但西数还是强调这并不是重新发明混合式驱动器（SSHD）。
与 SSHD 不同的是，OptiNAND 不会在正常操作期间存储任何用户数据，而是用于存储来自 HDD 操作的元数据，以提升容量、性能与可靠性。
通常情况下，面密度的增加，是通过将盘片上的相邻轨道塞得更近（增加 TPI）而实现的。不过西数的设想，是将将工厂或中间用户操作生成的一些元数据，也从磁盘挪动到 NAND 闪存部分，以进一步增强性能。
举个例子，西数提到了主轴旋转时磁头抖动 / 定位错误时的可重复跳动（RRO）记录。这些动辄数 GB 的数据，就是在 HDD 工厂制造过程中生成的。它通常被存储在磁盘中，并占用用户可用的数据空间。
将轨道包装得更紧密的重要挑战之一，就是所谓的“相邻轨道干扰”（简称 ATI）。这导致驱动器需要定期刷新盘片轨道中的数据，否则可能因为写入相邻轨道而造成数据破坏。
当前可用的 HDD 基于轨道级的写入操作记录，可在逐个轨道的基础上触发这些刷新。但通过增加 TPI 来增加面积密度的缺点之一，就是需要更频繁地刷新。
早期 HDD 可能只需每隔 10000 次写入操作刷新一次，但现在的窄磁道可能需要每隔 6 次写入操作就刷新一次。在超过某个临界点后，TPI / ATI 刷新就会对磁盘性能造成极大影响。
在当今的 HDD 中，这些刷新是通过在该层次记录写入操作、而在轨道级别触发的。而在 OptiNAND 架构中，磁盘将允许扇区级别的记录写入操作。
这意味着刷新操作在时间和空间上更加分散，允许轨道更紧密地打包在一起、而不会牺牲性能。反之，这又更好地增加了磁记录的面密度。
在禁用缓存的情况下，该方案就取决于在紧急断电（EPO）情况下可安全刷新到非易失性存储器的数据量。西数还声称，在启用写入缓存的情况下，磁盘性能还可更加受益，因为这间接降低了刷新率。
值得一提的是，OptiNAND 还可在禁用写入缓存时，提升其在 EPO 条件下的可靠性。与串行闪存相比，通过包含更快的非易失性存储，西数宣称可将数据刷新率提升至上一代 HDD 的 50 倍。
最后，西数希望通过垂直结合 WD / HGST 的 HDD 技术、以及闪迪（SanDisk）的闪存技术，可对 OptiNAND 等平台产生至关重要的影响。
虽然集成 NAND 闪存必然会导致成本溢价，但新颖的磁记录技术（如 HAMR 和 MAMR）更需要在磁头和盘片设计上进行大量投资，且需要每隔几代旧开展一次改造。
另一方面，诸如 OptiNAND 这样的混搭方案，则是相对独立于底层的技术路线。至于相关产品的实际表现，仍有待其正式进入零售市场。